理解 STM32 的供电,应先区分数字电源、模拟电源、备用电源和 ADC 参考电压。本页以 STM32F103xF/xG,尤其 STM32F103VGT6 为主要例子;其他 F103 容量等级和封装必须使用各自的数据手册。不能把某张 144 引脚原理图的脚号套到 LQFP100 芯片上。
1. 五组引脚分别供给什么
跳转到“1. 五组引脚分别供给什么”| 引脚 | 作用 | 接线原则 |
|---|---|---|
| VDD / VSS | 数字 I/O 和内部调压器的主电源/地 | 全部电源脚都必须接好并就近去耦,不是任接一对即可。 |
| VDDA / VSSA | 模拟电源/地;关系到 ADC、内部模拟功能等 | 按手册接至 VDD/VSS,可按推荐电路滤波;不因“没有用 ADC”就悬空。 |
| VBAT | VDD 失效时给备份域供电 | 可接备用电源;没有备用电池时按官方建议接 VDD,并就近旁路。 |
| VREF+ / VREF− | ADC 转换范围的正/负参考 | 有独立引脚时 VREF− 接 VSSA,VREF+ 接合适基准或 VDDA。 |
| ADCx_INn | 被转换的模拟信号输入 | 信号电压、源阻抗、采样时间和保护条件都要满足 ADC 要求。 |
VREFINT 是芯片内部参考通道,与外部的 VREF+ 引脚不是同一节点。也不能把外部 VREF± 列成所有复位、PVD、比较器和校准功能的统一供电源。F103 是否具备 DAC、其参考关系和限制,需看准确料号,不能从同系列某一款推广。
正常工作范围与绝对最大额定值
跳转到“正常工作范围与绝对最大额定值”以下来自 F103xF/xG 数据手册 DS16554 的相应工作条件,不是全体 STM32 的通用规格:
| 项目 | 相关范围/条件 |
|---|---|
| VDD 正常工作 | 2.0–3.6 V;同时满足温度、频率等条件。 |
| VBAT 正常工作 | 1.8–3.6 V。 |
| 使用 ADC 时的 VDDA | 2.4–3.6 V,见 ADC 特性表。 |
| 使用 ADC 时的 VREF+ | 2.4 V 至 VDDA;VREF−/VSSA 接地。 |
| ADC 转换输入 | 0 至 VREF+;器件耐压和注入电流限制另外核对。 |
绝对最大额定值表出现的 4.0 V 表示器件损伤边界的一部分,不是允许长期工作在 4 V 的建议。正常工作、绝对最大额定值与测量精度条件是三种不同约束。DS16554
2. 去耦与参考引脚取决于封装
跳转到“2. 去耦与参考引脚取决于封装”AN2586 说明,100/144 引脚封装可提供独立 VREF±;64 引脚及更少的相关封装中,参考内部连接到 VDDA/VSSA。因此:
- STM32F103VGT6 的
V表示本例的 100 引脚封装,可查其独立参考脚。 - STM32F103RET6 是 64 引脚例子,不能凭另一款原理图寻找独立 VREF±。
- 焊盘编号、可用外设、每组电源脚数量以完整订货型号和封装表为准。
数字电源通常采用各 VDD 附近的局部小电容和板级储能电容。模拟电源和参考也需各自的短回流路径。仅在原理图画了电容、却放得很远或经细长回路接地,不能等效于就近去耦。
历史资料中的“11×100 nF + 4.7 µF、4.7 µF 接近 VDD3”属于相应多引脚供电示例,不是所有封装固定使用 11 个电容。DS16554 老版 ADC 图给出 10 nF + 1 µF,而 AN2586 Rev8 的相关模拟供电建议使用 100 nF + 1 µF;应核对所用器件最新有效手册、频率特性和 PCB 布局,不能把不同图拼成唯一标准。
同一老数据手册个别 ADC 图脚注把独立 VREF 写成“仅 100 引脚”,与其引脚表及 AN2586 的 100/144 引脚说明不一致。本页采用完整引脚表和 AN2586 的封装说明,避免复制该处脚注。
3. VBAT、备用电池与内部切换
跳转到“3. VBAT、备用电池与内部切换”VDD 正常时,备份域由主电源供电;VDD 下降到规定条件时,内部电路切换到 VBAT。VBAT 维持的是备份寄存器、RTC 和 LSE 等受支持部分,不会让 CPU、普通 SRAM 和全部 GPIO 继续运行。
无备用电池
跳转到“无备用电池”VDD ───────── VBAT │ 100 nF │ GND电容是 VBAT 对地的旁路,不是串联在 VDD 与 VBAT 之间。这样的电路在主电源全部掉电后没有独立储能来源,不能承诺长期保存时间。
独立备用电源
跳转到“独立备用电源”备用电池可按手册接至 VBAT,并检查电压、极性、漏电、温度和主电源建立时的条件。RM0008 还说明了特定上电条件下的注入电流及低压降隔离二极管需求;应按实际电池是否可充电、允许电流和电源时序检查,不默认纽扣电池可承受充电。
历史板图还采用外部双二极管 OR:
3.3 V ──|>|──┐ ├── VBAT ── 100 nF ── GND电池 ──|>|──┘两只二极管的阴极汇合在 VBAT,较高的一路经二极管供电;它不是“电池通过 100 nF 接 VDD”。原图的 1N4148 会产生与电流、温度有关的压降,必须核算最差情况下 VBAT 是否仍满足范围,并检查反向漏电。该外部 OR 不是所有 STM32F103 电路必需的连接。
局部开发板图出现 VBAT=6、NRST=25、VREF+=32、VREF−=31、VDDA=33,属于对应 144 引脚示例,不能用来给 VGT6 的 LQFP100 布线。与之配套的无电池图,VBAT 经右侧电源母线连接 3.3 V;下方电容地线并没有接入 VBAT。
备份域复用、PC13 和防篡改输入见 PC13、RTC 与备份域。
4. ADC 的码值、参考与量化
跳转到“4. ADC 的码值、参考与量化”设分辨率为 位,参考跨度为
是理想量化步长。12 位 ADC 有 个量化级,输出整数范围为 0–4095。
用“区间左端编码”解释量化时,可写成教学模型:
于是码 大致代表一个宽度为 的输入区间,采用区间中点估计时
这是说明分辨率与量化不确定度的模型,不是宣称实际 F103 每一个转换门限完全等于该式。真实 ADC 还存在偏移、增益、积分/微分非线性和噪声。
常见程序使用 ,把 0 和 4095 映射到两个端点。这是一种端点换算约定,不应据此说 12 位 ADC 只有 4095 级。若 VREF+=3.3 V、VREF−=0,则一步约为 0.806 mV;中点 1.65 V 的码值约为 2048,而不是固定的 2047。
为什么参考误差会影响结果
跳转到“为什么参考误差会影响结果”在其他误差暂时忽略时,码值主要由输入与参考的比值决定:
使用错误的参考值换算电压,会引入比例误差。若传感器输出与同一电源成比例,则采用同源参考的比率测量可能抵消一部分电源变化;因此“参考接 VDDA 必然差、超过 10 位 ENOB 必须外部基准”都不是通用结论。应从目标误差、噪声、温漂、参考负载、传感器类型和布局计算预算。
5. 输入源阻抗与采样建立
跳转到“5. 输入源阻抗与采样建立”VAIN 是被转换的信号电压;RAIN 表示外部源阻抗,不能简单解释成“必须串联的一只保护电阻”。ADC 的采样开关和采样电容只在采样窗口内取得电荷:
信号源 ── 源阻抗/串联电阻 ── ADC 输入 ── 内部采样开关 ── 采样电容在简化一阶模型中,剩余建立误差满足
若从满量程阶跃出发,希望残差小于半 LSB,则理想模型要求
实际选值应使用数据手册的 RAIN 公式/采样周期表,并考虑输入电容、通道切换、外部 RC 与驱动放大器。DS16554 的 RAIN 最大值不是在所有采样时间下都能取 50 kΩ;最短采样时间对源阻抗要求更严格。
外部 RC 的正确位置
跳转到“外部 RC 的正确位置”信号源 ── R ──┬── ADC 输入 C │ GND忽略 ADC 动态负载且源阻抗很低时,该拓扑的截止频率为
R=1 kΩ、C=100 nF 时, kHz。电容如果接在串联电阻的信号源一侧,就不能把这两者直接看作上图的 ADC 输入低通。滤波电容还会影响建立和通道切换;该数值不保证适合任意采样率,也不自动构成充分的抗混叠滤波或过压保护。
6. 从原理图到验证
跳转到“6. 从原理图到验证”依次核对完整料号/封装、电源范围、所有电源脚、参考接法、VBAT掉电条件、ADC输入范围、源阻抗与采样时间。随后在实际板上测量供电建立、纹波和 ADC 输入,分别测试已知直流值、通道切换及目标带宽。
本页将原来的 10 张电源/ADC 截图转成了有型号限制的文字、公式和接线图;数值推导已做软件计算核对。未给当前实物板上电,也未验证整板供电、PCB 回流或 ADC 实测精度。
依据
跳转到“依据”- DS16554:STM32F103xF/xG,引脚表、电源条件与 ADC 特性。
- AN2586:STM32F10xxx 硬件设计入门,第2章电源与参考。
- RM0008,电源控制、备份域与 ADC。